Durch Beschuss von einkristallinen Kristalloberflächen mit Elektronenstrahlen unter streifendem Einfall kann das epitaktische Wachstum der einkristallinen Schichten überwacht werden. Dabei wird das Phänomen der Beugung genutzt. Die Elektronenstrahlen werden an der regelmäßigen Anordnung der Atome und Moleküle im Kristall ähnlich wie an einem optischen Streifengitter gebeugt. Beugung mit Elektronen, um Kristalloberflächen zu untersuchen