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Die vorliegende Arbeit widmet sich der Entwicklung eines neuartigen Halbleiterbauelements zur Absicherung von DC-Netzen gegen kritische Überstromereignisse basierend auf einer 4H-SiC-SFET-Technologie – dem inversen Thyristor.

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Zusammenfassung und Ausblick

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  • 发表日期：

    2026年

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  • Norman Böttcher

摘要

Die vorliegende Arbeit widmet sich der Entwicklung eines neuartigen Halbleiterbauelements zur Absicherung von DC-Netzen gegen kritische Überstromereignisse basierend auf einer 4H-SiC-SFET-Technologie – dem inversen Thyristor.