High linearity GaN HEMT by optimized three-dimensional-gated modulation via top-MIS-gate nanowire channel structure

期刊论文
发表日期：

2025年3月6日

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Can Gong,
Minhan Mi,
Yuwei Zhou,
Pengfei Wang,
Hanzhen Li,
Xinyi Wen,
Ting Meng,
Sirui An,
Xiang Du,
Kai Cheng,
Meng Zhang,
Qing Zhu,
Xiaohua Ma,
Yue Hao

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